SMUN5311DW1T1G 与 BCR 35PN H6433 区别
| 型号 | SMUN5311DW1T1G | BCR 35PN H6433 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SMUN5311DW1T1G | A-BCR 35PN H6433 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| R2 | - | 47k Ohms |
| 功率耗散Pd | - | 250mW |
| 特征频率fT | - | 150MHz |
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | 车规-带阻/预偏置 |
| 集电极-射极饱和电压 | - | 300mV |
| 封装/外壳 | SOT-363-6 | SOT-363 |
| VCBO | - | 50V |
| 工作温度 | - | -65°C~150°C |
| 系列 | - | BCR35 |
| 集电极连续电流 | - | 100mA |
| 直流电流增益hFE | - | 70 |
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | 50V |
| 晶体管类型 | - | NPN+PNP |
| R1 | - | 10k Ohms |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SMUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 30,30 250MHz,250MHz NPN+PNP |
￥1.9165
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2,800 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 30,30 250MHz,250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 30,30 250MHz,250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 30,30 250MHz,250MHz NPN+PNP |
￥0.1812
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0 | 对比 | ||||||||||||
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BCR 35PN H6433 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW NPN+PNP 50V 100mA 300mV 70 150MHz 车规-带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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